[PWC-MEDIA] FOM-persbericht: Magnetische informatie blijft langer behouden in gegroeid grafeen

  • From: Info FOM <info@xxxxxx>
  • To: undisclosed-recipients:;
  • Date: Thu, 23 Feb 2012 10:32:00 +0100

FOM-persbericht

Magnetische informatie blijft langer behouden in gegroeid grafeen

Utrecht, 23 februari 2012 - Onderzoekers van de Rijksuniversiteit 
Groningen, de Stichting FOM en het Europese samenwerkingsverband 
ConceptGraphene hebben ontdekt dat de groei van grafeen op siliciumcarbide 
een veel langere opslagtijd van magnetische informatie oplevert. Zij 
ontdekten dit tijdens hun onderzoek naar het transport van magnetische 
informatie in grafeen, het koolstof kristalrooster van één atoom dik, met 
als doel een materiaal te vinden waarmee op grotere schaal magnetische 
informatie kan worden verwerkt. Dit is nodig voor gebruik in toepassingen 
zoals bijvoorbeeld de quantumcomputer. Zij publiceerden hun resultaten op 
20 februari in Nanoletters.

In het vakgebied van spintronica maken onderzoekers gebruik van het 
magnetische moment van het elektron, de spin, om informatie te 
transporteren en op te slaan. Door verstrooiing van elektronen tijdens hun 
transport door een materiaal, gaat spininformatie verloren na een bepaalde 
tijd en afstand, respectievelijk de spinrelaxatietijd en 
spinrelaxatielengte. Een grote relaxatielengte is voordelig voor 
spintransport tussen logische schakelaars, maar het is ook belangrijk om 
materialen te vinden die spininformatie behouden gedurende een lange tijd, 
zodat deze gebruikt kan worden voor quantumcomputing.

Grafeen, het laagje koolstof met een dikte van slechts één atoom, heeft 
buitengewone eigenschappen en leverde vorig jaar de Nobelprijs voor de 
Natuurkunde op. Het meest onderzochte grafeen wordt gemaakt met behulp van 
de techniek die Nobelprijswinnaars Geim en Novoselov introduceerden. Bij 
deze methode gebruiken de onderzoekers plakband om laagjes grafeen van een 
grafiet substraat af te pellen, waarna zij het materiaal op een 
siliciumoxide ondergrond plaatsen. De onderzoekers uit Groningen 
gebruikten voor hun experiment grafeen dat is gegroeid op siliciumcarbide. 
Dit materiaal ontvingen zij van gelieerde onderzoekers uit een Europees 
project (ConceptGraphene). Het grafeen vertoonde in spintransportmetingen 
sterk verlengde spinrelaxatietijden vergeleken met hun metingen aan 
'gepeld' grafeen. Het nieuwe substraat zorgt voor dit opzienbarende 
verschil. 

De verhoogde spinrelaxatietijden in combinatie met de schaalvergroting van 
het grafeen betekenen de volgende stap naar computeroperaties op basis van 
de spintronica.


Voor de redactie

Contact
Voor meer informatie kunt u contact opnemen met onderzoeker Jasper van den 
Berg.

Referentie
'Long spin relaxation times in wafer scale epitaxial graphene on 
SiC(0001)', T. Maassen, J. J. van den Berg, N. IJbema, F. Fromm, T. 
Seyller, R. Yakimova, B. J. van Wees, Nano Letters (2012), DOI: 
10.1021/nl2042497

Onderschrift figuren
Figuur 1: a) Lichtmicroscoopafbeelding van een siliciumcarbide plaatje 
bedekt met grafeen en een patroon van goudcontacten om het spintransport 
device in het middelste 100 × 100 µm² gebied te contacteren. b) 
Elektronenmicroscoopafbeelding van zo'n centraal gebied met twee spin 
devices, verbonden met de goudcontacten door middel van kobalt elektroden.
Figuur 2: Schets van een grafeen spindevice op een siliciumcarbide 
substraat met vier contacten. De ondergrond en het strookje grafeen zijn 
bedekt met aluminiumoxide, voordat de kobalt elektroden zijn gefabriceerd. 
Op de afbeelding is de 'niet-lokale' geometrie te zien, die voor de 
metingen wordt gebruikt.


Als u geen prijs stelt op de persberichten van de Stichting FOM en u wilt 
uit het adressenbestand verwijderd worden, stuur dan een mail met uw 
gegevens naar info@xxxxxxx 

Follow us on Twitter! www.twitter.com/FOMphysics

Public Information Office | Stichting voor Fundamenteel Onderzoek der 
Materie (FOM) | Foundation for Fundamental Research on Matter (FOM) | PO 
Box 3021 - 3502 GA Utrecht - The Netherlands | Van Vollenhovenlaan 659 - 
3527 JP Utrecht - The Netherlands | t: +31 (0)30 600 12 11 |  f: +31 (0)30 
601 44 06 | e: info@xxxxxx| w: http://www.fom.nl | Think before you print!

The Foundation for Fundamental Research on Matter (FOM) is part of the 
Netherlands Organisation for Scientific Research (NWO).



Attachment: Figuur 1.jpg
Description: JPEG image

Attachment: Figuur 2.jpg
Description: JPEG image

Other related posts:

  • » [PWC-MEDIA] FOM-persbericht: Magnetische informatie blijft langer behouden in gegroeid grafeen - Info FOM