[fep] descrição

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  • Date: Mon, 01 Dec 2003 17:22:32 -0200 (EDT)

essa é a parte do laboratório da poli é a primeira parte da descrição 
experimental , as fotos estarão na pagina do boris 
www.socrates.if.usp.br/~boris , tem uma copia de como deve ficar essa parte 
depois eu te passo bele
  

Maximo
{\rtf1\ansi\ansicpg1252\deff0\deflang1046{\fonttbl{\f0\froman\fprq2\fcharset0 Times New Roman;}{\f1\fswiss\fprq2\fcharset0 Arial;}{\f2\fswiss\fcharset0 Arial;}} {\colortbl ;\red0\green0\blue0;} {\*\generator Msftedit 5.41.15.1503;}\viewkind4\uc1\pard\qj\f0\fs24 Descri\'e7\'e3o experimental\par \par Placa de Si-SiO\sub 2\b\par \nosupersub\b0\par \tab O passo inicial para a constru\'e7\'e3o do capacitor foi encontrar um material isolante com o qual poder\'edamos obter uma superf\'edcie perfeita para pequenas dimens\'f5es, ou seja, uma superf\'edcie fina sem furos para evitar a passagem de corrente entre as duas placas do capacitor. \par \tab Optamos construir o capacitor sobre uma placa de sil\'edcio oxidada Figura 1.\par \par \pard\qc Figura 1- Placa de Si- SiO\sub 2\nosupersub\par \pard\qj\sub\par \nosupersub\tab Obtivemos essa placa no LSI- POLI (Laborat\'f3rio de Sistemas Integr\'e1veis), essa placa inicialmente de Si sofre um processo de oxida\'e7\'e3o de uma das superf\'edcie. O processo se inicia limpando a placa com H\sub 2\nosupersub SO\sub 4\nosupersub (\'e1cido sulf\'farico), HF (\'e1cido fluor\'eddrico), NH\sub 4\nosupersub OH (hidr\'f3xido de am\'f4nia\cf1\f1\fs20 ), \cf0\f0\fs24 HCl (\'e1cido clor\'eddrico) e HF (\'e1cido fluor\'eddrico) novamente. Em seguida a placa de Si fica sobre um fluxo constante de N\sub 2\nosupersub (nitrog\'eanio) durante 24 horas para finalizar a limpeza da pe\'e7a.\par \tab Ap\'f3s a limpeza a placa foi levada ao forno (figura 2) onde ficou sobre um fluxo constante de O\sub 2 \nosupersub (oxig\'eanio) a uma temperatura de 1150\'baC.\par \par \pard\qc\sub\par \nosupersub Figura 2- Forno de Oxida\'e7\'e3o\par \par \pard\qj\tab Quando tiramos a placa do forno temos a superf\'edcie desejada oxidada, no entanto a janela que protege a outra face da placa n\'e3o \'e9 totalmente eficaz, com isso temos uma pequena camada de \'f3xido sobre essa superf\'edcie. Para retirar essa camada a placa \'e9 levada a uma c\'e2mara de plasma (Figura 3)\par \pard\qc\par Figura 3- c\'e2mara de plasma\par \par \pard\qj Vemos na figura 4 a placa no ambiente de plasma:\par \par \pard\qc\par Figura 4- limpeza da camada de SiO\sub 2\nosupersub com plasma\par \par \pard\fi708\qj A limpeza dessa camada durou 4 minutos, sobre a press\'e3o de 50 mtorr e potencia RF de 150w.\par Com isso obtemos a placa que foi utilizada na confec\'e7\'e3o do capacitor (figura 5) com uma superf\'edcie se Si e a outra com uma camada de 400\'c5 de SiO\sub 2\nosupersub .\sub \par \nosupersub\par \pard\fi708\qc\par Figura 5- placas oxidadas\par \pard\f2\fs20\par }

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